참고용
부품 번호 | TK2Q60D(Q) |
LIXINC Part # | TK2Q60D(Q) |
제조사 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | TK2Q60D(Q) PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | TK2Q60D(Q) |
상표: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
시리즈: | π-MOSVII |
패키지: | Bulk |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 600 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 2A (Ta) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 4.3Ohm @ 1A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 4.4V @ 1mA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±30V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 280 pF @ 25 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 60W (Tc) |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
공급자 장치 패키지: | PW-MOLD2 |
패키지/케이스: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
STU9HN65M2 | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK | 827 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTD85N02R-001 | MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK | 38892 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPT60R050G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF | 4890 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BSH205G2R | MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB | 23789 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STD30NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 28A DPAK | 2410 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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3LN01SS-TL-H | MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP | 432839 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IXFP12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB | 987 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRF121 | MOSFET N-CH 60V 8A TO204AA | 873 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDD5N50TF | N-CHANNEL POWER MOSFET | 970 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFR540ZTRLPBF | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | 815 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CDM22010-650 SL | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 1406 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFH5210TRPBF | MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN | 803 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10900 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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200 | $0.66515 | $133.03 |
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