참고용
| 부품 번호 | ES6U2T2R |
| LIXINC Part # | ES6U2T2R |
| 제조사 | ROHM Semiconductor |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | ES6U2T2R PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 20 - Oct 24 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | ES6U2T2R |
| 상표: | ROHM Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | ROHM Semiconductor |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Not For New Designs |
| 페트 유형: | N-Channel |
| 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 20 V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 1.5A (Ta) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 1.5V, 4.5V |
| rds on(최대) @ id, vgs: | 180mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| vgs(일)(최대) @ id: | 1V @ 1mA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 1.8 nC @ 4.5 V |
| vgs(최대): | ±10V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 110 pF @ 10 V |
| fet 기능: | Schottky Diode (Isolated) |
| 전력 손실(최대): | 700mW (Ta) |
| 작동 온도: | 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지: | 6-WEMT |
| 패키지/케이스: | SOT-563, SOT-666 |
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| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
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