참고용
부품 번호 | IRFIB41N15DPBF |
LIXINC Part # | IRFIB41N15DPBF |
제조사 | Rochester Electronics |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | IRFIB41N15DPBF PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | IRFIB41N15DPBF |
상표: | Rochester Electronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Rochester Electronics |
시리즈: | HEXFET® |
패키지: | Bulk |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 150 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 41A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 45mOhm @ 25A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 5.5V @ 250µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 2.52 pF @ 25 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 48W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
공급자 장치 패키지: | TO-220AB Full-Pak |
패키지/케이스: | TO-220-3 Full Pack |
BSH111BKR | MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB | 2505 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AUIRF7416QTR | PFET, 10A I(D), 30V, 0.02OHM, 1O | 4821 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BSZ075N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 876 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DMN24H3D5L-13 | MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 | 940 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SI2312BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 14576 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPB020N04NGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7-3 | 32542 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRLSL4030PBF | MOSFET N-CH 100V 180A TO262 | 919 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MSC750SMA170S | TRANS SJT 1700V D3PAK | 932 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HUFA76609D3ST_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3128 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDJ127P | MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6 FLMP | 44381 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDP027N08B-F102 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 | 1197 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 12253 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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