NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics America NP110N055PUK-E1-AY | NP110N055PUK-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP110N055PUK-E1-AY

크게 하다

참고용

부품 번호	NP110N055PUK-E1-AY
LIXINC Part #	NP110N055PUK-E1-AY
제조사	Renesas Electronics America
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명	MOSFET N-CH 55V 110A TO263
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	NP110N055PUK-E1-AY PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
지불
배송

NP110N055PUK-E1-AY 명세서

부품 번호:	NP110N055PUK-E1-AY
상표:	Renesas Electronics America
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:	Renesas Electronics America
시리즈:	-
패키지:	Tape & Reel (TR)
부품 상태:	Active
페트 유형:	N-Channel
기술:	MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):	55 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:	110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):	10V
rds on(최대) @ id, vgs:	1.75mOhm @ 55A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:	4V @ 250µA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:	294 nC @ 10 V
vgs(최대):	±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:	16050 pF @ 25 V
fet 기능:	-
전력 손실(최대):	1.8W (Ta), 348W (Tc)
작동 온도:	175°C (TJ)
장착 유형:	Surface Mount
공급자 장치 패키지:	TO-263
패키지/케이스:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TK110A10PL,S4X	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	1028 주문에 대해 자세히 알아보기
BSC079N03LSCGATMA1	MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON	5026 주문에 대해 자세히 알아보기
IPD65R660CFDATMA1	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3	956 주문에 대해 자세히 알아보기
SI2319DS-T1-E3	MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3	826 주문에 대해 자세히 알아보기
SI4116DY-T1-GE3	MOSFET N-CH 25V 18A 8SO	17639 주문에 대해 자세히 알아보기
LSIC1MO170E1000	SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L	990 주문에 대해 자세히 알아보기
SUP60020E-GE3	MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB	1510 주문에 대해 자세히 알아보기
BTS114AE3045A	N-CHANNEL POWER MOSFET	13141 주문에 대해 자세히 알아보기
IRFS5615TRLPBF	IRFS5615 - DIGITAL AUDIO MOSFET	900 주문에 대해 자세히 알아보기
FDMS3662	MOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN	11460 주문에 대해 자세히 알아보기
RQ6E085BNTCR	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457	1871 주문에 대해 자세히 알아보기
APT43M60L	MOSFET N-CH 600V 45A TO264	860 주문에 대해 자세히 알아보기
FCPF850N80Z	MOSFET N-CH 800V 6A TO220F	15466 주문에 대해 자세히 알아보기