참고용
부품 번호 | STW65N65DM2AG |
LIXINC Part # | STW65N65DM2AG |
제조사 | STMicroelectronics |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET N-CH 650V 60A TO247 |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | STW65N65DM2AG PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | STW65N65DM2AG |
상표: | STMicroelectronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | STMicroelectronics |
시리즈: | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 650 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 60A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 50mOhm @ 30A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 5V @ 250µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 120 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±25V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 5500 pF @ 100 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 446W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Through Hole |
공급자 장치 패키지: | TO-247 |
패키지/케이스: | TO-247-3 |
FDG410NZ | MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88 | 3058 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SSM3J15FV,L3F | MOSFET P-CH 30V 100MA VESM | 56786 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STW9NK90Z | MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3 | 847 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10959 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $9.16000 | $9.16 |
30 | $7.61051 | $228.3153 |
120 | $6.92558 | $831.0696 |
510 | $5.89843 | $3008.1993 |
1020 | $5.21364 | $5317.9128 |
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