참고용
부품 번호 | DMN1008UFDF-13 |
LIXINC Part # | DMN1008UFDF-13 |
제조사 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | DMN1008UFDF-13 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | DMN1008UFDF-13 |
상표: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
시리즈: | Automotive, AEC-Q101 |
패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
부품 상태: | Active |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 12 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 12.2A (Ta) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 2.5V, 4.5V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 8mOhm @ 5A, 4.5V |
vgs(일)(최대) @ id: | 1V @ 250µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 23.4 nC @ 8 V |
vgs(최대): | ±8V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 995 pF @ 6 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 700mW (Ta) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | U-DFN2020-6 (Type F) |
패키지/케이스: | 6-UDFN Exposed Pad |
IRF520NPBF | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB | 5885 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FDB045AN08A0-F085 | MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB | 819 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IPB80N04S303ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | 1045 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DI110N15PQ | MOSFET N-CH 150V 110A 8QFN | 5877 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10979 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.50000 | $0.5 |
10000 | $0.14584 | $1458.4 |
30000 | $0.13511 | $4053.3 |
50000 | $0.13065 | $6532.5 |
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