TK31E60W,S1VX

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부품 번호 TK31E60W,S1VX
LIXINC Part # TK31E60W,S1VX
제조사 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
범주 이산 반도체트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명 MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 TK31E60W,S1VX PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TK31E60W,S1VX 명세서

부품 번호:TK31E60W,S1VX
상표:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
시리즈:DTMOSIV
패키지:Tube
부품 상태:Active
페트 유형:N-Channel
기술:MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):600 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:30.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):10V
rds on(최대) @ id, vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:3.7V @ 1.5mA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:86 nC @ 10 V
vgs(최대):±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:3000 pF @ 300 V
fet 기능:Super Junction
전력 손실(최대):230W (Tc)
작동 온도:150°C (TJ)
장착 유형:Through Hole
공급자 장치 패키지:TO-220
패키지/케이스:TO-220-3

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