HN1B04FU-GR,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

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참고용

부품 번호	HN1B04FU-GR,LF
LIXINC Part #	HN1B04FU-GR,LF
제조사	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이
설명	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	HN1B04FU-GR,LF PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Sep 26 - Sep 30 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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HN1B04FU-GR,LF 명세서

부품 번호:	HN1B04FU-GR,LF
상표:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 어레이
제조사:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
시리즈:	-
패키지:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
부품 상태:	Active
트랜지스터 유형:	NPN, PNP
전류 - 컬렉터(ic)(최대):	150mA
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):	50V
vce 포화(최대) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):	100nA (ICBO)
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce:	200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대:	200mW
주파수 - 전환:	150MHz
작동 온도:	125°C (TJ)
장착 유형:	Surface Mount
패키지/케이스:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지:	US6

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