참고용
| 부품 번호 | HIP6601BECB-T |
| LIXINC Part # | HIP6601BECB-T |
| 제조사 | Intersil (Renesas Electronics America) |
| 범주 | 집적 회로 › pmic - 게이트 드라이버 |
| 설명 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | HIP6601BECB-T PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 29 - Nov 02 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | HIP6601BECB-T |
| 상표: | Intersil (Renesas Electronics America) |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | pmic - 게이트 드라이버 |
| 제조사: | Intersil (Renesas Electronics America) |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 구동 구성: | Half-Bridge |
| 채널 유형: | Synchronous |
| 운전자 수: | 2 |
| 게이트 유형: | N-Channel MOSFET |
| 전압 - 공급: | 10.8V ~ 13.2V |
| 논리 전압 - vil, vih: | - |
| 전류 - 피크 출력(소스, 싱크): | - |
| 입력 유형: | Non-Inverting |
| 하이사이드 전압 - 최대(부트스트랩): | 15 V |
| 상승/하강 시간(일반): | 20ns, 20ns |
| 작동 온도: | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지: | 8-SOIC-EP |
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| 재고 | 10828 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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