참고용
| 부품 번호 | SIC642ACD-T1-GE3 |
| LIXINC Part # | SIC642ACD-T1-GE3 |
| 제조사 | Vishay / Siliconix |
| 범주 | 집적 회로 › pmic - 풀, 하프 브리지 드라이버 |
| 설명 | 55A VR POWER (DRMOS) PLUS 3.3V P |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | SIC642ACD-T1-GE3 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 25 - Oct 29 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | SIC642ACD-T1-GE3 |
| 상표: | Vishay / Siliconix |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | pmic - 풀, 하프 브리지 드라이버 |
| 제조사: | Vishay / Siliconix |
| 시리즈: | VRPower® |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 출력 구성: | Half Bridge |
| 애플리케이션: | General Purpose |
| 상호 작용: | Logic, PWM |
| 하중 유형: | Inductive, Capacitive, Resistive |
| 기술: | Power MOSFET |
| rds on(일반): | 3Ohm LS + HS |
| 전류 - 출력/채널: | 50A |
| 전류 - 피크 출력: | 100A |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 전압 - 부하: | 16V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 특징: | Bootstrap Circuit, Diode Emulation |
| 결함 보호: | Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 31-PowerWFQFN |
| 공급자 장치 패키지: | PowerPAK® MLP55-31L |
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| 재고 | 13990 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1 | $3.20000 | $3.2 |
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