참고용
| 부품 번호: | MB85R256GPF-G-BNDE1 |
| 상표: | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FRAM |
| 기술: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 메모리 크기: | 256Kb (32K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 150ns |
| 액세스 시간: | 150 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | - |
| 패키지/케이스: | - |
| 공급자 장치 패키지: | - |
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CG8195AA | MICROPOWER SRAM | 874 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT40A512M8RH-075E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | 880 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S99-50210 | IC MEMORY NOR | 922 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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EDF8164A3PK-JD-F-R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA | 876 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V05S25J8 | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC | 933 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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| 재고 | 10820 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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