참고용
| 부품 번호: | CAT25010VP2IGT3D |
| 상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Last Time Buy |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |
| 메모리 크기: | 1Kb (128 x 8) |
| 메모리 인터페이스: | SPI |
| 클록 주파수: | 10 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 5ms |
| 액세스 시간: | - |
| 전압 - 공급: | 1.8V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지: | 8-TDFN (2x3) |
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AT49BV162A-70CU | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48CBGA | 833 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29AL008J70WHN019 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL WAFER | 980 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR | IC DRAM 48GBIT 1866MHZ 376WFBGA | 862 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NAND256W3A0BE06 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | 895 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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PC48F4400P0VB02E | IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA | 802 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS61NLP25672-200B1I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA | 937 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29WS128N0SBAW010 | IC MEMORY NOR | 851 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29GL064S90DHIV23 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA | 914 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M29F400FB55M3T2 TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | 811 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT49H32M18CFM-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA | 965 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | 883 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
M29W256GH7AN6F TR | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP | 834 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
AS4C32M16MS-7BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54BGA | 800 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10887 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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