참고용
부품 번호: | MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR |
상표: | Micron Technology |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Micron Technology |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR) |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Non-Volatile |
메모리 형식: | FLASH |
기술: | FLASH - NAND |
메모리 크기: | 6Tb (768G x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 333 MHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | - |
전압 - 공급: | 2.5V ~ 3.6V |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
장착 유형: | - |
패키지/케이스: | - |
공급자 장치 패키지: | - |
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P-V | IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE | 858 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29C1G12MAADYAML-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 153VFBGA | 819 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 TR | IC MEMORY FLASH FBGA | 940 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG8262AA | IC SRAM SYNC 100TQFP | 822 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT25128XI-T2D | IC EEPROM 128KB SERIAL SPI 8SOIC | 952 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SST26VF016B-104I/UB | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8USON | 893 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MSM51V18165F-60J3-7 | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ | 941 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT25640VE-GT3E | IC EEPROM 64KBIT SPI 8SOIC | 867 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S99-50349 | IC MEMORY FLASH NOR | 835 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D | IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA | 925 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V | MLC EMMC/LPDDR3 152G | 957 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
DS28E02P-W10+2 | IC EEPROM 1KBIT 1-WIRE 6TSOC | 830 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S99PL064J0110 P | IC FLASH MEM NOR 48FBGA | 947 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10937 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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