참고용
| 부품 번호: | 5962-8687513XA |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 메모리 크기: | 8Kb (1K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 90ns |
| 액세스 시간: | 90 ns |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | 48-DIP (0.600", 15.24mm) |
| 공급자 장치 패키지: | 48-SIDE BRAZED |
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R1LP0408CSC-7LC#D0 | STANDARD SRAM, 512KX8, 70NS | 964 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MTFC64GAPALHT-AAT TR | IC FLASH 512GBIT MMC | 924 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M | MLC 64G DIE 8GX8 | 917 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S99GL256S0040 | 256KB NAND FLASH | 19564 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M10042040054X0ISAR | IC RAM 4MBIT SPI 54MHZ 8SOIC | 807 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71256S25TDB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | 995 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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GD25S512MDBIGY | IC FLSH 512MBIT SPI/QUAD 24TFBGA | 815 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
LE25LB963CT-TE-L-H | SERIAL SPI EEPROM | 310818 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F4G16ABBFAH4-AAT:F | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | 951 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY14B116N-BA25XI | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA | 1016 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F1T08EELCEJ4-R:C | IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA | 861 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S25FL128SAGNFA003 | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON | 837 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
71256S45TDB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | 988 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10965 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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|---|---|---|
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