참고용
| 부품 번호: | M10042040108X0ISAR |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | RAM |
| 기술: | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| 메모리 크기: | 4Mb (1M x 4) |
| 메모리 인터페이스: | SPI |
| 클록 주파수: | 108 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 액세스 시간: | - |
| 전압 - 공급: | 1.71V ~ 2V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 8-SOIC |
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GVT71128DA36T-4 | CACHE SRAM, 128KX36, 2.5NS | 875 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V09L20PFGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP | 808 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT25C16YI-26630T | IC EEPROM 16KBIT SPI 8TSSOP | 2998 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CG7604AT | SPECIAL | 903 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
M25P80-VMN6TPBA | IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SO | 11465 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR | TLC 512G 64GX8 VBGA DDP | 912 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M | IC FLASH NAND 128G PARALLEL | 807 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S29GL01GT11TFIV20Y | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP | 1127 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT35XU01GBBA1G12-0AUT | IC FLSH 1GBIT XCCELA BUS 24TPBGA | 947 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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EM6GD08EWUF-10IH | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA | 933 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1360C-200AXCKJ | CACHE SRAM, 256KX36, 3.5NS | 1141 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D | IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA | 906 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT24C04YGI-T3 | IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP | 6848 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10861 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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