참고용
| 부품 번호: | 70V9289L7PFG8 |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR) |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 메모리 크기: | 1Mb (64K x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 액세스 시간: | 7.5 ns |
| 전압 - 공급: | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 100-LQFP |
| 공급자 장치 패키지: | 100-TQFP (14x14) |
|
S25FL256LAGMFN000Z | SERIAL FLASH, 256MB | 1090 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MTFC4GLGDM-AIT A TR | IC FLASH 32GBIT MMC 153TFBGA | 876 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53E4D1AHJ-DC TR | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | 834 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CHS34C02YI-GT5 | 2KB I2C SER EEPROM SPD | 874 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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R1EX24032ATA00I#S0 | EEPROM, 4KX8, SERIAL | 15845 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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TMS4C1070B-30N | 262 264-WORD BY 4 BIT FIELD MEMO | 1772 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT41K512M16VRN-107 AIT:P | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | 908 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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R1EX24256ASA00I#S0 | EEPROM, 32KX8, SERIAL | 1986 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S25FL512SAGBAEA10 | IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA | 924 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
S70FL01GSDSBHBC10 | IC FLSH 1GBIT SPI/QUAD I/O 24BGA | 964 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53E1536M32D4DT-046 WT:A | IC DRAM LPDDR4 WFBGA | 885 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S26KL128SDABHA020A | PARALLEL NOR FLASH, (16 MB) | 1117 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
S25FL256LAGMFI000Z | SERIAL FLASH, 256MB | 823 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10950 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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