참고용
| 부품 번호: | 5962-8700211ZA |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 메모리 크기: | 16Kb (2K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 70ns |
| 액세스 시간: | 70 ns |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | 48-DIP (0.600", 15.24mm) |
| 공급자 장치 패키지: | 48-SIDE BRAZED |
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IS61LF51218B-7.5TQLI-TR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP | 981 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53D512M64D4HR-053 WT:D TR | IC DRAM LPDDR4 32G SMD | 881 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FM93C66ALZEMT8 | EEPROM, 256X16, SERIAL, CMOS | 844 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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29705ADM/B | SRAM | 1846 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CHD1616LVB-70Z | 16-MB (1M X 16) PSUEDO SRAM | 1386 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53D768M32D2DS-046 WT:A | IC DRAM LPDDR4 WFBGA | 826 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY62167DV20LL-5BVI | 16-MBIT (1M X 16) MOBL SRAM | 944 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C512M8D3LC-12BCN | 512M X 8, 1.35V, 800MHZ, DDR3-16 | 1035 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
AS4C256M32MD4-062BAN | IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA | 1674 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M10042040054X0PWAR | IC RAM 4MBIT SPI 54MHZ 8DFN | 831 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | 858 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
7133SA90G | IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PGA | 814 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|
7005S25GB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PGA | 845 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10958 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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