참고용
| 부품 번호: | MT47H128M4B6-3:D TR |
| 상표: | Micron Technology |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Micron Technology |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 크기: | 512Mb (128M x 4) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | 333 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
| 액세스 시간: | 450 ps |
| 전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 60-FBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 60-FBGA |
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AT27C516-70JC | IC EPROM 512KBIT PARALLEL 44PLCC | 893 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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W25Q32FVSFJQ TR | IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 16SOIC | 899 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70261L25PF8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP | 830 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS42S16800E-75EBLI | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 838 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10899 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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