참고용
| 부품 번호: | R1RW0416DSB-2PR#B0 |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM |
| 메모리 크기: | 4Mb (256K x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 12ns |
| 액세스 시간: | 12 ns |
| 전압 - 공급: | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 44-TSOP II |
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MT48LC4M16A2P-7E:G | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | 950 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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W631GU8KB-12 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA | 858 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS25LD040-JBLE-TR | IC FLASH 4MBIT SPI 100MHZ 8SOIC | 842 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT25256VE-GT3C | IC EEPROM 256KB SER SPI 8SOIC | 889 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10848 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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