MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

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부품 번호 MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part # MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
제조사 Micron Technology
범주 집적 회로메모리
설명 IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR 명세서

부품 번호:MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
상표:Micron Technology
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Micron Technology
시리즈:-
패키지:Tape & Reel (TR)
부품 상태:Active
메모리 유형:Non-Volatile
메모리 형식:FLASH
기술:FLASH - NAND
메모리 크기:1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:333 MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:-
액세스 시간:-
전압 - 공급:2.5V ~ 3.6V
작동 온도:0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:132-VBGA
공급자 장치 패키지:132-VBGA (12x18)

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