참고용
| 부품 번호 | IS61NLP51236B-200B3I |
| LIXINC Part # | IS61NLP51236B-200B3I |
| 제조사 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 범주 | 집적 회로 › 메모리 |
| 설명 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | IS61NLP51236B-200B3I PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 24 - Oct 28 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | IS61NLP51236B-200B3I |
| 상표: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 메모리 크기: | 18Mb (512K x 36) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | 200 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 액세스 시간: | 3 ns |
| 전압 - 공급: | 3.135V ~ 3.465V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 165-TBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 165-TFBGA (13x15) |
 |
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | 995 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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| 재고 | 10874 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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