R1RW0408DGE-2PR#B0

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부품 번호 R1RW0408DGE-2PR#B0
LIXINC Part # R1RW0408DGE-2PR#B0
제조사 Renesas Electronics America
범주 집적 회로메모리
설명 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 R1RW0408DGE-2PR#B0 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Nov 01 - Nov 05 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R1RW0408DGE-2PR#B0 명세서

부품 번호:R1RW0408DGE-2PR#B0
상표:Renesas Electronics America
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Renesas Electronics America
시리즈:-
패키지:Tube
부품 상태:Obsolete
메모리 유형:Volatile
메모리 형식:SRAM
기술:SRAM
메모리 크기:4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:-
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:12ns
액세스 시간:12 ns
전압 - 공급:3V ~ 3.6V
작동 온도:0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지:36-SOJ

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