참고용
부품 번호: | 70V25L20JI |
상표: | Renesas Electronics America |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Renesas Electronics America |
시리즈: | - |
패키지: | Tube |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
메모리 크기: | 128Kb (8K x 16) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | - |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 20ns |
액세스 시간: | 20 ns |
전압 - 공급: | 3V ~ 3.6V |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 84-LCC (J-Lead) |
공급자 장치 패키지: | 84-PLCC (29.21x29.21) |
IDT71V35761S183PFI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | 843 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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QMP29GL512P10FFCR10 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | 929 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1011CV33-12ZSXET | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II | 876 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CAT25128VI-T3D | IC EEPROM 128KB SERIAL SPI 8TSSO | 1000 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT46V32M8BG-6 IT:G TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA | 925 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AT29C010A-20PC | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32DIP | 894 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C256M16D3L-12BCNTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 909 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10905 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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