참고용
부품 번호: | 70T651S10BFI |
상표: | Renesas Electronics America |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Renesas Electronics America |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
메모리 크기: | 9Mb (256K x 36) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | - |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 10ns |
액세스 시간: | 10 ns |
전압 - 공급: | 2.4V ~ 2.6V |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 208-LFBGA |
공급자 장치 패키지: | 208-CABGA (15x15) |
MT58L32L32DT-7.5 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP | 2314 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NDS66PT5-16IT | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | 1586 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10953 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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