참고용
부품 번호 | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A |
LIXINC Part # | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A |
제조사 | Micron Technology |
범주 | 집적 회로 › 메모리 |
설명 | IC DRAM 4GBIT 1600MHZ 200WFBGA |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Sep 20 - Sep 24 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A |
상표: | Micron Technology |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Micron Technology |
시리즈: | Automotive, AEC-Q100 |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | DRAM |
기술: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
메모리 크기: | 4Gb (128M x 32) |
메모리 인터페이스: | - |
클록 주파수: | 1.6 GHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | - |
전압 - 공급: | 1.1V |
작동 온도: | -40°C ~ 105°C (TC) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 200-WFBGA |
공급자 장치 패키지: | 200-WFBGA (10x14.5) |
R1LV0108ESN-7SR#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOP | 1665 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71V2546S100BG | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA | 940 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BR95160-WMN6TP | IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8SO | 806 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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24LC16B-E/SN | IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC | 2423 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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70V7319S133BC8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA | 921 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT53E384M32D2DS-053 AUT:E | IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA | 892 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 11319 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $9.35000 | $9.35 |
10 | $8.65990 | $86.599 |
25 | $8.46398 | $211.5995 |
50 | $8.41735 | $420.8675 |
100 | $7.41036 | $741.036 |
250 | $7.04372 | $1760.93 |
500 | $6.97142 | $3485.71 |
1000 | $6.73904 | $6739.04 |
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