참고용
| 부품 번호 | TH58BYG2S3HBAI6 |
| LIXINC Part # | TH58BYG2S3HBAI6 |
| 제조사 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 범주 | 집적 회로 › 메모리 |
| 설명 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | TH58BYG2S3HBAI6 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 06 - Oct 10 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| 상표: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| 시리즈: | Benand™ |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NAND (SLC) |
| 메모리 크기: | 4Gb (512M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 25ns |
| 액세스 시간: | 25 ns |
| 전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 67-VFBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 67-VFBGA (6.5x8) |
 |
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| 재고 | 11185 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $5.31000 | $5.31 |
| 10 | $4.85042 | $48.5042 |
| 25 | $4.75768 | $118.942 |
| 50 | $4.72497 | $236.2485 |
| 100 | $4.23868 | $423.868 |
| 338 | $4.22239 | $1427.16782 |
| 676 | $3.95883 | $2676.16908 |
| 1014 | $3.79036 | $3843.42504 |
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