IS61QDP2B21M18A-333M3L

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부품 번호 IS61QDP2B21M18A-333M3L
LIXINC Part # IS61QDP2B21M18A-333M3L
제조사 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
범주 집적 회로메모리
설명 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 IS61QDP2B21M18A-333M3L PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 26 - Oct 30 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61QDP2B21M18A-333M3L 명세서

부품 번호:IS61QDP2B21M18A-333M3L
상표:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
시리즈:-
패키지:Tray
부품 상태:Active
메모리 유형:Volatile
메모리 형식:SRAM
기술:SRAM - Synchronous, QUADP
메모리 크기:18Mb (1M x 18)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:333 MHz
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:-
액세스 시간:8.4 ns
전압 - 공급:1.71V ~ 1.89V
작동 온도:0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:165-LBGA
공급자 장치 패키지:165-LFBGA (15x17)

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