참고용
부품 번호: | CYDMX064B16-65BVXI |
상표: | Rochester Electronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Rochester Electronics |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Dual Port, MoBL |
메모리 크기: | 64Kb (4K x 16) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | - |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 65ns |
액세스 시간: | 65 ns |
전압 - 공급: | 1.8V ~ 3.3V |
작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 100-VFBGA |
공급자 장치 패키지: | 100-VFBGA (6x6) |
CY7C1413KV18-300BZCT | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 906 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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0418A81QLAA-3N | 8MBIT (512K X 18) SRAM | 1865 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SST39VF3201B-70-4I-EKE | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | 812 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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HM4-6516-9 | 2K X 8 CMOS RAM | 1212 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BR93L46RFVT-WE2 | IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TSSOPB | 2617 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 14327 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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