참고용
| 부품 번호: | 6116LA150DB |
| 상표: | Renesas Electronics America |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Renesas Electronics America |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기: | 16Kb (2K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 150ns |
| 액세스 시간: | 150 ns |
| 전압 - 공급: | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| 공급자 장치 패키지: | 24-CDIP |
 |
CAT24C256XE | IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC | 21396 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
70T631S10BF | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA | 983 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
GS8320Z36AGT-333I | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP | 893 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
S25FL127SABMFB101 | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 2330 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
BR24S16FV-WE2 | IC EEPROM 16KBIT I2C 8SSOPB | 837 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
S26KL512SDABHN030 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA | 935 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
AS4C64M16D2B-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | 1023 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
25AA640A-E/P | IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8DIP | 807 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
W947D2HBJX5I TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA | 972 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
UPD46184095BF1-E40-EQ1-A | DDR SRAM, 2MX9, 0.45NS | 2110 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
71V416S10PHI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | 923 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
CY7C1019CV33-12BVI | STANDARD SRAM, 128KX8 | 1374 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
GS84018CGT-250I | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP | 921 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10921 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
따뜻한 팁: 아래 양식을 작성해 주세요. 최대한 빨리 연락드리겠습니다.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $16.53300 | $16.533 |
| 300 | $14.52245 | $4356.735 |
Lixinc는 귀하에게 가장 경쟁력 있는 가격을 제공할 것입니다. 견적을 참조하십시오.
