참고용
부품 번호: | CY7C1315KV18-300BZXC |
상표: | Rochester Electronics |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Rochester Electronics |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Obsolete |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Synchronous, QDR II |
메모리 크기: | 18Mb (512K x 36) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 300 MHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | - |
전압 - 공급: | 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 165-LBGA |
공급자 장치 패키지: | 165-FBGA (13x15) |
AT24CS64-SSHM-B | IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC | 1310 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS4C4M16SA-7B2CN | IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA | 802 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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24AA025E64T-I/SN | IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC | 2568 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY62167EV30LL-45ZXAT | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I | 837 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BR25L010FV-WE2 | IC EEPROM 1KBIT SPI 5MHZ 8SSOPB | 885 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 11436 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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