TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0
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부품 번호 TH58BVG2S3HTAI0
LIXINC Part # TH58BVG2S3HTAI0
제조사 Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
범주 집적 회로메모리
설명 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 TH58BVG2S3HTAI0 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 29 - Nov 02 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TH58BVG2S3HTAI0 명세서

부품 번호:TH58BVG2S3HTAI0
상표:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
시리즈:Benand™
패키지:Tray
부품 상태:Active
메모리 유형:Non-Volatile
메모리 형식:FLASH
기술:FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기:4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:-
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:25ns
액세스 시간:25 ns
전압 - 공급:2.7V ~ 3.6V
작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형:Surface Mount
패키지/케이스:48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지:48-TSOP I

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