참고용
| 부품 번호: | CYD09S18V18-200BBXI |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tray |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 형식: | SRAM |
| 기술: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 메모리 크기: | 9Mb (512K x 18) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | 200 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
| 액세스 시간: | 3.3 ns |
| 전압 - 공급: | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 256-LBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 256-FBGA (17x17) |
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| 재고 | 11071 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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