참고용
부품 번호 | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
LIXINC Part # | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
제조사 | Micron Technology |
범주 | 집적 회로 › 메모리 |
설명 | IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 23 - Oct 27 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
상표: | Micron Technology |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Micron Technology |
시리즈: | Automotive, AEC-Q100 |
패키지: | Tape & Reel (TR) |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | DRAM |
기술: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
메모리 크기: | 8Gb (256M x 32) |
메모리 인터페이스: | - |
클록 주파수: | 2.133 GHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | - |
전압 - 공급: | 1.1V |
작동 온도: | -40°C ~ 95°C (TC) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 200-WFBGA |
공급자 장치 패키지: | 200-WFBGA (10x14.5) |
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재고 | 10840 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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