참고용
| 부품 번호: | S29AL016J70BFA010 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | Automotive, AEC-Q100, AL-J |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | FLASH |
| 기술: | FLASH - NOR |
| 메모리 크기: | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 70ns |
| 액세스 시간: | 70 ns |
| 전압 - 공급: | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 48-VFBGA |
| 공급자 장치 패키지: | 48-FBGA (8.15x6.15) |
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IS43DR16320D-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | 954 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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FM25C040UN | EEPROM, 512X8, SERIAL PDIP8 | 948 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS61C256AL-12JLI-TR | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | 1208 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS61QDB24M18A-300M3L | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA | 856 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1371C-117BGC | ZBT SRAM, 512KX36, 7.5NS | 922 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1370B-200BGC | ZBT SRAM, 512KX36, 3NS | 934 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SST26WF016BA-104I/SN | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 957 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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W949D6DBHX5E TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA | 935 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M5M5V108DKV-70H#BT | SRAM 1M-BIT (128K X 8) | 5181 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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71T75802S200PFG | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | 976 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1049GN30-10VXIT | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | 1670 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
MCM69C233TQ15 | CONTENT ADDRESSABLE SRAM, 4KX64, | 1532 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS45S16100H-7BLA2-TR | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA | 907 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 15287 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
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