참고용
부품 번호: | 71V65803S133BGG8 |
상표: | Renesas Electronics America |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Renesas Electronics America |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR) |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | SRAM |
기술: | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) |
메모리 크기: | 9Mb (512K x 18) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 133 MHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | - |
액세스 시간: | 4.2 ns |
전압 - 공급: | 3.135V ~ 3.465V |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TA) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 119-BGA |
공급자 장치 패키지: | 119-PBGA (14x22) |
11LC010-I/P | IC EEPROM 1KBIT SINGLE WIRE 8DIP | 2936 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT49H16M36SJ-18 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | 890 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1338B-100BGCT | CACHE SRAM, 128KX32, 8NS | 3873 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1415BV18-167BZC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 1299 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10826 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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