참고용
| 부품 번호: | CAT28LV256NI-30 |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |
| 메모리 크기: | 256Kb (32K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 클록 주파수: | - |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 10ms |
| 액세스 시간: | 300 ns |
| 전압 - 공급: | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 32-LCC (J-Lead) |
| 공급자 장치 패키지: | 32-PLCC (11.43x13.97) |
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MX25R1635FM2IL0 | IC FLSH 16MBIT SPI/QUAD I/O 8SOP | 7152 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA | 885 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NM24C05LEN | IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP | 1916 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS61LF51236B-7.5TQLI-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP | 949 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IS43LR16640A-5BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | 833 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS6C4016-55ZINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | 886 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1423KV18-250BZC | DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P | 1004 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BR24S128FVT-WE2 | IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOPB | 3665 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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93AA46BT-I/SN | IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC | 2651 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS7C1025C-15JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | 808 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AS6C4008-55ZIN | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | 889 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
71016S12YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | 881 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
CDP68HC68R2E | STANDARD SRAM, 256X8, CMOS, PDIP | 78505 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 11517 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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