참고용
| 부품 번호: | CAT25M01VI-G |
| 상표: | Rochester Electronics |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 집적 회로 |
| 하위 카테고리: | 메모리 |
| 제조사: | Rochester Electronics |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| 메모리 유형: | Non-Volatile |
| 메모리 형식: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |
| 메모리 크기: | 1Mb (128K x 8) |
| 메모리 인터페이스: | SPI |
| 클록 주파수: | 10 MHz |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 5ms |
| 액세스 시간: | - |
| 전압 - 공급: | 1.8V ~ 5.5V |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형: | Surface Mount |
| 패키지/케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지: | 8-SOIC |
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CY7C2264XV18-366BZXC | QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS PBGA165 | 978 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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93LC56B-E/P | IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8DIP | 902 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AT27LV020A-90TI | IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32TSOP | 1067 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT46V16M16TG-5B:MTR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | 982 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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M5M5256DVP-70LLIBE | SRAM 5V 256K-BIT 32K X 8 | 7449 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C1370D-200BGXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA | 1429 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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RMLV0416EGSB-4S2#HA1 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 | 869 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B | IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA | 932 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY7C2665KV18-550BZXI | IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA | 900 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
MTFC32GAPALBH-AIT TR | IC FLASH 256GBIT MMC 153TFBGA | 807 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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CY62158DV30LL-55BVXIT | STANDARD SRAM, 1MX8, 55NS | 2863 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
MR25H256CDC | IC RAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN | 5011 주문에 대해 자세히 알아보기 |
 |
S25FL256SAGMFIR10 | IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC | 817 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 19919 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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|---|---|---|
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| 200 | $3.41000 | $682 |
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