참고용
부품 번호: | W632GU8NB09I |
상표: | Winbond Electronics Corporation |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 집적 회로 |
하위 카테고리: | 메모리 |
제조사: | Winbond Electronics Corporation |
시리즈: | - |
패키지: | Tray |
부품 상태: | Active |
메모리 유형: | Volatile |
메모리 형식: | DRAM |
기술: | SDRAM - DDR3L |
메모리 크기: | 2Gb (256M x 8) |
메모리 인터페이스: | Parallel |
클록 주파수: | 1.067 GHz |
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
액세스 시간: | 20 ns |
전압 - 공급: | 1.283V ~ 1.45V |
작동 온도: | -40°C ~ 95°C (TC) |
장착 유형: | Surface Mount |
패키지/케이스: | 78-VFBGA |
공급자 장치 패키지: | 78-VFBGA (8x10.5) |
IS43LR32160C-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | 873 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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BR93A76RF-WME2 | IC EEPROM 8KBIT SPI 2MHZ 8SOP | 3495 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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S40410081B1B2W000 | FLASH, 8GX8, PBGA100 | 1048 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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11LC010-E/SN | IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8SOIC | 800 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10965 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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