DS1230AB-200IND

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부품 번호 DS1230AB-200IND
LIXINC Part # DS1230AB-200IND
제조사 Rochester Electronics
범주 집적 회로메모리
설명 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 DS1230AB-200IND PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 17 - Oct 21 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DS1230AB-200IND 명세서

부품 번호:DS1230AB-200IND
상표:Rochester Electronics
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:집적 회로
하위 카테고리:메모리
제조사:Rochester Electronics
시리즈:-
패키지:Tube
부품 상태:Obsolete
메모리 유형:Non-Volatile
메모리 형식:NVSRAM
기술:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기:256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스:Parallel
클록 주파수:-
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지:200ns
액세스 시간:200 ns
전압 - 공급:4.75V ~ 5.25V
작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형:Through Hole
패키지/케이스:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지:28-EDIP

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