참고용
| 부품 번호 | J112-D27Z |
| LIXINC Part # | J112-D27Z |
| 제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - jfets |
| 설명 | JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | J112-D27Z PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Jul 04 - Jul 08 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | J112-D27Z |
| 상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - jfets |
| 제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | N-Channel |
| 전압 - 항복(v(br)gss): | 35 V |
| 드레인-소스 전압(vdss): | - |
| 전류 - 드레인(idss) @ vds(vgs=0): | 5 mA @ 15 V |
| 전류 드레인(id) - 최대: | - |
| 전압 - 컷오프(vgs 꺼짐) @ id: | 1 V @ 1 µA |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | - |
| 저항 - rds(on): | 50 Ohms |
| 전력 - 최대: | 625 mW |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지: | TO-92-3 |
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| 재고 | 10983 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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