참고용
| 부품 번호 | RGT80TS65DGC11 |
| LIXINC Part # | RGT80TS65DGC11 |
| 제조사 | ROHM Semiconductor |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 단일 |
| 설명 | IGBT 650V 70A 234W TO-247N |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | RGT80TS65DGC11 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 09 - Oct 13 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | RGT80TS65DGC11 |
| 상표: | ROHM Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - igbts - 단일 |
| 제조사: | ROHM Semiconductor |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| igbt 유형: | Trench Field Stop |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 650 V |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 70 A |
| 전류 - 컬렉터 펄스(icm): | 120 A |
| vce(on) (최대) @ vge, ic: | 2.1V @ 15V, 40A |
| 전력 - 최대: | 234 W |
| 스위칭 에너지: | - |
| 입력 유형: | Standard |
| 게이트 요금: | 79 nC |
| td(온/오프) @ 25°c: | 34ns/119ns |
| 테스트 조건: | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| 역회복 시간(trr): | 58 ns |
| 작동 온도: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | TO-247-3 |
| 공급자 장치 패키지: | TO-247N |
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| 재고 | 11052 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.90000 | $3.9 |
| 10 | $3.50576 | $35.0576 |
| 30 | $3.31465 | $99.4395 |
| 120 | $2.87254 | $344.7048 |
| 270 | $2.72525 | $735.8175 |
| 510 | $2.44533 | $1247.1183 |
| 1020 | $2.06234 | $2103.5868 |
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