참고용
| 부품 번호 | RGT8NS65DGC9 |
| LIXINC Part # | RGT8NS65DGC9 |
| 제조사 | ROHM Semiconductor |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 단일 |
| 설명 | IGBT |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | RGT8NS65DGC9 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 08 - Oct 12 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | RGT8NS65DGC9 |
| 상표: | ROHM Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - igbts - 단일 |
| 제조사: | ROHM Semiconductor |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| igbt 유형: | Trench Field Stop |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 650 V |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 8 A |
| 전류 - 컬렉터 펄스(icm): | 12 A |
| vce(on) (최대) @ vge, ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| 전력 - 최대: | 65 W |
| 스위칭 에너지: | - |
| 입력 유형: | Standard |
| 게이트 요금: | 13.5 nC |
| td(온/오프) @ 25°c: | 17ns/69ns |
| 테스트 조건: | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| 역회복 시간(trr): | 40 ns |
| 작동 온도: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 패키지/케이스: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 공급자 장치 패키지: | TO-262 |
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| 재고 | 11981 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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