GT30J121(Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

크게 하다

참고용

부품 번호	GT30J121(Q)
LIXINC Part #	GT30J121(Q)
제조사	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 단일
설명	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	GT30J121(Q) PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
지불
배송

GT30J121(Q) 명세서

부품 번호:	GT30J121(Q)
상표:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - igbts - 단일
제조사:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
시리즈:	*
패키지:	Tube
부품 상태:	Active
igbt 유형:	-
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):	600 V
전류 - 컬렉터(ic)(최대):	30 A
전류 - 컬렉터 펄스(icm):	60 A
vce(on) (최대) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 30A
전력 - 최대:	170 W
스위칭 에너지:	1mJ (on), 800µJ (off)
입력 유형:	Standard
게이트 요금:	-
td(온/오프) @ 25°c:	90ns/300ns
테스트 조건:	300V, 30A, 24Ohm, 15V
역회복 시간(trr):	-
작동 온도:	-
장착 유형:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지:	TO-3P(N)

APT25GR120BD15	IGBT 1200V 75A 521W TO247	940 주문에 대해 자세히 알아보기
IKW75N60H3FKSA1	IGBT 600V 80A 428W TO247-3	898 주문에 대해 자세히 알아보기
APT35GP120BG	IGBT 1200V 96A 543W TO247	909 주문에 대해 자세히 알아보기
IKD04N60R	IKD04N60 - DISCRETE IGBT WITH AN	5464 주문에 대해 자세히 알아보기
APT64GA90B2D30	IGBT 900V 117A 500W TO-247	889 주문에 대해 자세히 알아보기
IKFW50N60DH3EXKSA1	IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3	1379 주문에 대해 자세히 알아보기
AUIRG4BC30U-S	IGBT, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N	3726 주문에 대해 자세히 알아보기
STGWA50IH65DF	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650	884 주문에 대해 자세히 알아보기
FMG1G150US60H	IGBT, 150A, 600V, N-CHANNEL	898 주문에 대해 자세히 알아보기
IKY75N120CH3XKSA1	IGBT 1200V 150A TO247-4	1167 주문에 대해 자세히 알아보기
STGB20V60DF	IGBT 600V 40A 167W D2PAK	915 주문에 대해 자세히 알아보기
IHW40N135R3FKSA1	REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT	941 주문에 대해 자세히 알아보기
IXGX120N120A3	IGBT 1200V 240A 830W PLUS247	21649 주문에 대해 자세히 알아보기