참고용
부품 번호 | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
LIXINC Part # | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
제조사 | IR (Infineon Technologies) |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 모듈 |
설명 | IGBT MODULE 1700V 4150W |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | FF650R17IE4DB2BOSA1 PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
상표: | IR (Infineon Technologies) |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - igbts - 모듈 |
제조사: | IR (Infineon Technologies) |
시리즈: | - |
패키지: | Bulk |
부품 상태: | Active |
igbt 유형: | - |
구성: | 2 Independent |
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 1700 V |
전류 - 컬렉터(ic)(최대): | - |
전력 - 최대: | 4150 W |
vce(on) (최대) @ vge, ic: | 2.45V @ 15V, 650A |
전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 5 mA |
입력 커패시턴스(cies) @ vce: | 54 nF @ 25 V |
입력: | Standard |
NTC 서미스터: | Yes |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C |
장착 유형: | Chassis Mount |
패키지/케이스: | Module |
공급자 장치 패키지: | Module |
FP30R06W1E3B11BOMA1 | IGBT MODULE 600V 37A 115W | 853 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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F4100R17N3E4BPSA1 | LOW POWER ECONO | 872 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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DDB6U180N16RRB37BOSA1 | IGBT MODULE | 974 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10883 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $763.20333 | $763.20333 |
3 | $707.69683 | $2123.09049 |
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