FS75R12W2T4B11BOMA1

FS75R12W2T4B11BOMA1
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부품 번호 FS75R12W2T4B11BOMA1
LIXINC Part # FS75R12W2T4B11BOMA1
제조사 IR (Infineon Technologies)
범주 이산 반도체트랜지스터 - igbts - 모듈
설명 IGBT MOD 1200V 107A 375W
라이프사이클 활동적인
RoHS RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델 FS75R12W2T4B11BOMA1 PCB 풋프린트 및 기호
창고 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간 Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택)
보증 최대 1년 [제한 보증]*
지불 Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
배송 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FS75R12W2T4B11BOMA1 명세서

부품 번호:FS75R12W2T4B11BOMA1
상표:IR (Infineon Technologies)
라이프사이클:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
범주:이산 반도체
하위 카테고리:트랜지스터 - igbts - 모듈
제조사:IR (Infineon Technologies)
시리즈:-
패키지:Tray
부품 상태:Active
igbt 유형:Trench Field Stop
구성:Full Bridge
전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대):1200 V
전류 - 컬렉터(ic)(최대):107 A
전력 - 최대:375 W
vce(on) (최대) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 75A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대):1 mA
입력 커패시턴스(cies) @ vce:4.3 nF @ 25 V
입력:Standard
NTC 서미스터:Yes
작동 온도:-40°C ~ 150°C
장착 유형:Chassis Mount
패키지/케이스:Module
공급자 장치 패키지:Module

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