참고용
| 부품 번호 | FP100R07N3E4BOSA1 |
| LIXINC Part # | FP100R07N3E4BOSA1 |
| 제조사 | IR (Infineon Technologies) |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - igbts - 모듈 |
| 설명 | IGBT MOD 650V 100A 335W |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | FP100R07N3E4BOSA1 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Oct 07 - Oct 11 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | FP100R07N3E4BOSA1 |
| 상표: | IR (Infineon Technologies) |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - igbts - 모듈 |
| 제조사: | IR (Infineon Technologies) |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Bulk |
| 부품 상태: | Active |
| igbt 유형: | Trench Field Stop |
| 구성: | Three Phase Inverter |
| 전압 - 컬렉터 이미 터 고장(최대): | 650 V |
| 전류 - 컬렉터(ic)(최대): | 100 A |
| 전력 - 최대: | 335 W |
| vce(on) (최대) @ vge, ic: | 1.95V @ 15V, 100A |
| 전류 - 컬렉터 컷오프(최대): | 1 mA |
| 입력 커패시턴스(cies) @ vce: | 6.2 nF @ 25 V |
| 입력: | Standard |
| NTC 서미스터: | No |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C |
| 장착 유형: | Chassis Mount |
| 패키지/케이스: | Module |
| 공급자 장치 패키지: | Module |
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| 재고 | 10829 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
| 최저한의 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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| 1 | $149.04800 | $149.048 |
| 10 | $145.13922 | $1451.3922 |
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