참고용
부품 번호 | NVMFS5C682NLT1G |
LIXINC Part # | NVMFS5C682NLT1G |
제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
설명 | MOSFET N-CH 60V 5DFN |
라이프사이클 | 활동적인 |
RoHS | RoHS 정보 없음 |
EDA/CAD 모델 | NVMFS5C682NLT1G PCB 풋프린트 및 기호 |
창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
예상 배달 시간 | Sep 22 - Sep 26 2024(빠른 배송 선택) |
보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
지불 | |
배송 |
부품 번호: | NVMFS5C682NLT1G |
상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
라이프사이클: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
범주: | 이산 반도체 |
하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
시리즈: | - |
패키지: | Tape & Reel (TR) |
부품 상태: | Discontinued at Digi-Key |
페트 유형: | N-Channel |
기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압(vdss): | 60 V |
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 25A (Tc) |
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 4.5V, 10V |
rds on(최대) @ id, vgs: | 21mOhm @ 10A, 10V |
vgs(일)(최대) @ id: | 2V @ 16µA |
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 5 nC @ 10 V |
vgs(최대): | ±20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 410 pF @ 25 V |
fet 기능: | - |
전력 손실(최대): | 3.5W (Ta), 28W (Tc) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형: | Surface Mount |
공급자 장치 패키지: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
패키지/케이스: | 8-PowerTDFN |
IRF7451 | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO | 855 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SI7388DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8 | 841 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STB300NH02L | MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK | 890 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRF7807VD2TR | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO | 942 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AOI4T60 | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A | 982 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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ZVN4106FTC | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3 | 956 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFR5505 | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | 806 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRF3707STRRPBF | MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK | 986 주문에 대해 자세히 알아보기 |
재고 | 10954 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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견적 한도 | 제한 없음 |
리드타임 | 확인 예정 |
최저한의 | 1 |
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1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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