참고용
| 부품 번호 | FQPF50N06L |
| LIXINC Part # | FQPF50N06L |
| 제조사 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 32.6A TO220F |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | FQPF50N06L PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Jul 08 - Jul 12 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | FQPF50N06L |
| 상표: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| 시리즈: | QFET® |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Obsolete |
| 페트 유형: | N-Channel |
| 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 60 V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 32.6A (Tc) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 5V, 10V |
| rds on(최대) @ id, vgs: | 21mOhm @ 16.3A, 10V |
| vgs(일)(최대) @ id: | 5V @ 250µA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | 32 nC @ 5 V |
| vgs(최대): | ±20V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 1630 pF @ 25 V |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | 47W (Tc) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지: | TO-220F |
| 패키지/케이스: | TO-220-3 Full Pack |
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SI7448DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8 | 936 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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SI7674DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 910 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STK30N2LLH5 | MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK | 864 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFR110TRRPBF | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | 973 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTD50N03R | MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK | 972 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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AOD510 | MOSFET N-CH 30V 45A/70A TO252 | 806 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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STL100NH3LL | MOSFET N-CH 30V 100A POWERFLAT | 957 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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IRFBC30STRL | MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK | 851 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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NTB5411NT4G | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | 854 주문에 대해 자세히 알아보기 |
| 재고 | 10834 - 주문에 대해 자세히 알아보기 |
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| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
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