NVMYS2D1N04CLTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMYS2D1N04CLTWG

NVMYS2D1N04CLTWG

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참고용

부품 번호	NVMYS2D1N04CLTWG
LIXINC Part #	NVMYS2D1N04CLTWG
제조사	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
범주	이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
설명	MOSFET N-CH 40V 29A/132A LFPAK4
라이프사이클	활동적인
RoHS	RoHS 정보 없음
EDA/CAD 모델	NVMYS2D1N04CLTWG PCB 풋프린트 및 기호
창고	미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR
예상 배달 시간	Jul 07 - Jul 11 2024(빠른 배송 선택)
보증	최대 1년 [제한 보증]*
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NVMYS2D1N04CLTWG 명세서

부품 번호:	NVMYS2D1N04CLTWG
상표:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
라이프사이클:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
범주:	이산 반도체
하위 카테고리:	트랜지스터 - fet, mosfets - 단일
제조사:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
시리즈:	Automotive, AEC-Q101
패키지:	Tape & Reel (TR)
부품 상태:	Active
페트 유형:	N-Channel
기술:	MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss):	40 V
전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c:	29A (Ta), 132A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐):	4.5V, 10V
rds on(최대) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(일)(최대) @ id:	2V @ 90µA
게이트 전하(qg)(최대) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs(최대):	±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds:	3100 pF @ 25 V
fet 기능:	-
전력 손실(최대):	3.9W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형:	Surface Mount
공급자 장치 패키지:	LFPAK4 (5x6)
패키지/케이스:	SOT-1023, 4-LFPAK

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