참고용
| 부품 번호 | RM4N650T2 |
| LIXINC Part # | RM4N650T2 |
| 제조사 | Rectron USA |
| 범주 | 이산 반도체 › 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 설명 | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3 |
| 라이프사이클 | 활동적인 |
| RoHS | RoHS 정보 없음 |
| EDA/CAD 모델 | RM4N650T2 PCB 풋프린트 및 기호 |
| 창고 | 미국, 유럽, 중국, 홍콩 SAR |
| 예상 배달 시간 | Jul 03 - Jul 07 2024(빠른 배송 선택) |
| 보증 | 최대 1년 [제한 보증]* |
| 지불 | 
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| 배송 |  |
| 부품 번호: | RM4N650T2 |
| 상표: | Rectron USA |
| 라이프사이클: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| 범주: | 이산 반도체 |
| 하위 카테고리: | 트랜지스터 - fet, mosfets - 단일 |
| 제조사: | Rectron USA |
| 시리즈: | - |
| 패키지: | Tube |
| 부품 상태: | Active |
| 페트 유형: | N-Channel |
| 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압(vdss): | 650 V |
| 전류 - 연속 드레인(id) @ 25°c: | 4A (Tc) |
| 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐): | 10V |
| rds on(최대) @ id, vgs: | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| vgs(일)(최대) @ id: | 3.5V @ 250µA |
| 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs: | - |
| vgs(최대): | ±30V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds: | 280 pF @ 50 V |
| fet 기능: | - |
| 전력 손실(최대): | 46W (Tc) |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형: | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지: | TO-220-3 |
| 패키지/케이스: | TO-220-3 |
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|---|---|
| 견적 한도 | 제한 없음 |
| 리드타임 | 확인 예정 |
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